功率场效应晶体管MOSFET（四）

• 作者: 周志敏
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率场效应晶体管 MOSFET 开关特性 栅极电荷
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 页码范围: 71-72
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志敏	山东莱芜钢铁集团公司动力部	69	134	5.0	11.0