Si纳米结构的制备及其热稳定性

• 作者: B.K.A. Ngoi 谢东珠
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 聚焦离子束 纳米结构 热稳定性
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 833-836
• 页数: 4页
• 分类号: O482.2
• 字数: 2433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.11.005

摘要

研究了纳米尺寸Si结构的热稳定性.采用Ga聚焦离子束技术在单晶硅表面刻蚀出纳米尺寸的条形光栅结构,在流动的Ar气氛保护下进行恒温热退火,用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了热退火后的结构变化.实验结果表明在较高的退火温度下纳米尺寸的硅结构是不稳定的,其尺寸由于热扩散而变小,同时在Si表面有镓析出并形成纳米颗粒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢东珠	上海师范大学数理信息学院	6	10	2.0	3.0