氢氟酸中痕量杂质的ICP-MS分析测定

• 作者: 叶松芳
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 化学
• 关键词: 氢氟酸 ICP-MS 标准加入法 金属杂质
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 948-950
• 页数: 3页
• 分类号: O657.8
• 字数: 2275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.031

摘要

研究了用HP 4500型 ICP-MS方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质.在半导体业,所用试剂要求在10 ng·ml-1级.采用样品直接稀释法,在优化的实验条件下,采用HP 4500型ICP-MS实现了样品中Na,Mg,Al,K,Ca,Cr,Fe,Ni,Cu,Pb,10种杂质元素的同时测定,降低了样品玷污的可能性.屏蔽炬系统和冷等离子体的使用,很大程度上提高了检出限,使K,Ca和Fe获得令人满意的测量结果.所有元素的测定均在相同条件下进行,检出限为0.8～20 ng·ml-1.