n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

• 作者: 伞海生 何毓阳 冯博学 王君 陈冲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频反应溅射,CdIn2O4 透明导电薄膜,导电机制,带隙收缩
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1736-1741
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.049

摘要

在Ar+O2气氛中,采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2O4薄膜.制得的薄膜经x射线衍射(XRD)检测为CdIn2O2和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系,特别强调了弛豫时间的重要性.为了提高导电膜的透射率,还分析了Burstein-Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度T8≈280℃.实验表明,在氧分压为8％左右时制备的薄膜质量较好,热处理后的指标大约为迁移率μH=31×10-4m2/V·s,电阻率ρ=1.89×10-5Ω·m.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王君	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	31	381	10.0	19.0
2	伞海生	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	6	145	5.0	6.0
3	冯博学	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	15	233	8.0	15.0
4	陈冲	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	6	179	4.0	6.0
5	何毓阳	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	3	126	3.0	3.0