基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件

• 作者: 刘伦才 刘嵘侃 刘道广 张晓菊 张金凤 张静 徐世六 李培咸 李开成 郑雪峰 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准 SiGe材料 干/湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 102-105
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 1015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.021

摘要

采用干/湿法腐蚀相结合技术,利用氢氧化钾(KOH)溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀,研究自对准Si/SiGe HBT台面器件,获得了fT＝40GHz,fmax＝127.1GHz的结果.