交流电沉积制备SnO2纳米线及其电沉积条件研究

• 作者: 张兴堂 李铁津 杜祖亮 薛中会 陈艳辉
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 化学
• 关键词: SnO2纳米线 氧化铝模板 交流电沉积
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 分类号: O646
• 字数: 3297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.009

摘要

采用阳极氧化的方法制备了孔径为30～50nm多孔阳极氧化铝(AAO)模板,用交流(AC)电沉积法在氧化铝模板孔洞内沉积金属锡,然后在空气中750℃加热含锡的模板10h,热氧化制备了直径在30～50nm SnO2纳米线.用扫描电子显微镜,透射电子显微镜,X射线衍射仪对所制备的SnO2纳米线进行了表征,表明所制备的纳米线为多晶结构.并通过改变交流电沉积过程中的电压,频率和热氧化时间来考察不同沉积条件对沉积结果的影响,发现采用交流沉积制备金属纳米线的过程中,频率和电压是影响沉积结果的关键因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴堂	河南大学特种功能材料重点实验室	68	606	14.0	20.0
2	杜祖亮	河南大学特种功能材料重点实验室	128	1108	17.0	27.0
3	李铁津	河南大学特种功能材料重点实验室	85	1803	22.0	39.0
5	薛中会	河南大学特种功能材料重点实验室	11	141	7.0	11.0
6	陈艳辉	河南大学特种功能材料重点实验室	9	150	7.0	9.0