COF结构中键合力损伤芯片Al层的研究

• 作者: 彭瑶玮 王志平 肖斐 陈文庆
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 挠性板上芯片 非导电膜 金-金共金 有限元模拟
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 209-214
• 页数: 6页
• 分类号: TN306
• 字数: 2098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.041

摘要

运用实验和有限元模拟相结合的方法,研究了非导电膜和金-金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响,并分析了样品的失效部位和失效原因.挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究表明,小印制线宽度在相同单位面积键合力情况下对Al压焊块损伤较轻.讨论了印制线宽度对键合偏移容差的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖斐	复旦大学材料科学系	27	220	9.0	14.0
2	彭瑶玮	复旦大学材料科学系	3	19	3.0	3.0
3	陈文庆		1	4	1.0	1.0
4	王志平		1	4	1.0	1.0