SF6/O2/CHF3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究

• 作者: 周宏 张坤 易新建 柯才军 赖建军 赵悦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 硅 刻蚀速率 选择比
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 28-31
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2874字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.06.008

摘要

采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术.为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数.文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF3可以显著地减小表面粗糙的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖建军	华中科技大学光电子工程系	30	317	10.0	16.0
5	周宏	华中科技大学光电子工程系	12	128	7.0	11.0
6	柯才军	华中科技大学光电子工程系	7	71	4.0	7.0
10	张坤		3	33	2.0	3.0
11	赵悦	华中科技大学光电子工程系	9	32	3.0	5.0