一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的方法

• 作者: 万星拱 徐向明 赵毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TDDB 寿命 预测
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2271-2274
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.002

摘要

提出了一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的新方法.该方法可以用于对工艺的实时监控.通常情况下,为了得到栅极氧化膜在器件使用温度下的TDDB寿命,必须得到三个在一定温度下的不同电压下的TDDB寿命.然后使用一定模型(E模型或者1/E模型)和这个三个寿命推算出氧化膜在器件使用温度下的寿命.比较常用的是E模型.但是为了保证使用E模型推得的寿命的准确性,必须尽量使用较低电压下的寿命来推算想要的寿命.显然,为了获得低电压下的TDDB寿命,必须花费相当长的测试时间(甚至1个月).这对于工艺的实时监控来说,是不能接受的.文中提出一种新的推算栅氧化膜TDDB寿命的方法.运用该方法,可以快速、准确获得栅氧化膜的TDDB寿命,而花费的测试时间不到普通方法的1/1000000.在该方法中,巧妙地同时利用了1/E模型和E模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万星拱		7	18	3.0	3.0