Ni基带上的氧化物过渡层制备

• 作者: 吴键 李言荣 熊杰 陈寅 陶伯万
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化物 过渡层 外延 反应溅射
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 732-737
• 页数: 6页
• 分类号: O51
• 字数: 1776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.067

摘要

本文采用溅射沉积方法在双轴织构的Ni-W5%基带上制备了CeO2和Y2O3薄膜.研究表明CeO2薄膜在Ni基带上的外延方式受生长速率、生长温度的控制.在快速沉积情况下,CeO2薄膜为(111)取向,在沉积速率较低时,以(00l)取向为主.CeO2薄膜沉积过程中,可以有效避免Ni的氧化.在Y2O3的沉积过程中,Ni基带的氧化不可避免,但其氧化物也有良好的取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	熊杰	电子科技大学微电子与固体电子学院	41	205	6.0	12.0
3	陶伯万	电子科技大学微电子与固体电子学院	39	165	5.0	10.0
4	陈寅	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	10	3.0	3.0
5	吴键	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	11	2.0	3.0