蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连

• 作者: 何少伟 史锡婷 易新建 李敏杰 李毅 陈四海 黄磊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 互连 电子束蒸发 剥离技术
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(MEMS加工技术)
• 页码范围: 12-14,18
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7|TN405.97
• 字数: 1936字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.12.005

摘要

介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱.分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情况下,实验并制备了金属Ni互连柱(双层AZ5214金属柱高1.86 μ m,聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214柱高2.0 μ m,ENPI柱高1.5 μ m),都起到了较好的互连作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李毅	华中科技大学光电子工程系	46	503	12.0	21.0
2	易新建	华中科技大学光电子工程系	102	1261	21.0	29.0
6	陈四海	华中科技大学光电子工程系	46	459	12.0	18.0
8	黄磊	华中科技大学光电子工程系	31	168	8.0	11.0
10	史锡婷	华中科技大学光电子工程系	4	34	3.0	4.0
12	何少伟	华中科技大学光电子工程系	8	64	5.0	8.0
14	李敏杰	华中科技大学光电子工程系	4	14	2.0	3.0