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摘要:
利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO,并获得了一次设计投片成功.提取了GaAs HFET的大信号模型,利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻,以此为依据进行输出匹配网络的优化设计.给出了电路制作和测试结果,在17.79~17.89GHz频率上获得了16dBm的输出功率.
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文献信息
篇名 Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 微波单片集成电路 压控振荡器 异质结场效应晶体管 砷化镓
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2191-2195
页数 5页 分类号 TN432
字数 1780字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王绍东 3 25 2.0 3.0
2 吴阿惠 2 14 2.0 2.0
3 高学邦 5 15 3.0 3.0
4 吴洪江 4 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
微波单片集成电路
压控振荡器
异质结场效应晶体管
砷化镓
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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