用 Czochralski 方法生长KMgF3 晶体的研究

• 作者: 冯金波 周广刚 孙为 张万松 徐孝镇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Czochralski方法 KMgF3晶体 Ar气体环境
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 725-728
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 3258字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.033

摘要

先把KF和MgF2 以1:1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物.然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等无色、透明的优质单晶体.并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节.