色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响

• 作者: 戴江南 方文卿 江风益 王立 莫春兰 蒲勇 郑畅达
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN ZnO 金属有机物化学气相沉积 X射线双晶衍射 色散效应
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 917-921
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.013

摘要

在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中,观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲线分裂的现象.经研究证实,这是由于Kα2线参与衍射引起的.通过计算Kα1和Kα2线在不同晶面衍射的分离角并与实验现象对比,阐明了GaN样品(102)半峰宽比(002)小以及ZnO(002)衍射峰分裂的原因.在此基础上,进一步分析了在使用不同参考晶体的双晶衍射系统中,GaN和ZnO的各晶面被X射线色散展宽的情况,并提出,在使用Si,Ge或GaAs的(220)面为参考晶面的双晶衍射仪中,GaN和ZnO的(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应的影响小;而在使用Si,Ge或GaAs的(004)面为参考晶面的双晶衍射系统中,(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应影响较大,此时(004)和(103)受色散影响小,因此用来表征晶体质量将更可靠.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
2	方文卿	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	200	8.0	13.0
3	王立	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	48	324	10.0	14.0
4	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
5	郑畅达	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	9	51	5.0	7.0
6	戴江南	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	10	86	5.0	9.0
7	蒲勇	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	15	108	6.0	10.0