电子辐照SiGe HBT和Si BJT的直流特性分析

• 作者: 刘志农 孟祥提 王吉林 钱佩信 陈培毅 陈长春 黄文韬
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(BJT) 电学特性
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 213-216
• 页数: 4页
• 分类号: O571.33|O472.4|TN325.2
• 字数: 2778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.03.012

摘要

研究了1 MeV不同剂量电子辐照前后SiGe异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与Si双极晶体管(BJT)进行了比较.结果表明辐照后SiGe HBT的IB基本不变,IC和β都下降;随电子辐照剂量的增加,IC和β都减小.对Si BJT而言,IB和IC与在相同辐照剂量辐照后的SiGe HBT相比都增大很多,β下降幅度也很大.这说明SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗辐照性能.对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
3	孟祥提	清华大学核能设计研究院	6	52	4.0	6.0
4	刘志农	清华大学微电子学研究所	8	63	5.0	7.0
5	黄文韬	清华大学微电子学研究所	12	43	5.0	6.0
6	陈长春	清华大学微电子学研究所	10	23	3.0	4.0
7	王吉林	清华大学微电子学研究所	8	41	4.0	6.0