氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究

• 作者: 俞琳 刘东红 戴瑛 胡连军 闫翠霞 龙闰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石 氘化 n型电导 掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1837-1838
• 页数: 2页
• 分类号: O474
• 字数: 1196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.12.007

摘要

室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一.最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级.本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘东红	山东大学物理与微电子学院	25	110	7.0	10.0
2	戴瑛	山东大学物理与微电子学院	25	174	7.0	12.0
6	俞琳	山东大学物理与微电子学院	6	62	4.0	6.0
7	龙闰	山东大学物理与微电子学院	2	9	2.0	2.0
8	闫翠霞	山东大学物理与微电子学院	4	9	2.0	3.0
9	胡连军	山东大学物理与微电子学院	2	4	2.0	2.0