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摘要:
利用蒙特卡罗分析法对GaAs flash ADC的成品率及其关键参数的灵敏度进行了定性及定量的分析.当器件阈值电压的标准偏差增大时,flash ADC的DNL,INL性能会以近似线性的关系降低且更高分辨率ADC线性性能的恶化速度更快;ADC的成品率离散达到一定程度后,以指数关系下降,且高分辨率ADC的丢码率会以更快的速度增长.分析结果表明,HBT以及带腐蚀自停止的HEMT技术是超高速高分辨率ADC的发展方向.
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文献信息
篇名 GaAs flash ADC成品率及其性能的蒙特卡罗分析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 成品率 flash ADC GaAs 蒙特卡罗
年,卷(期) 2005,(8) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1509-1513
页数 5页 分类号 TN431.1
字数 557字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 夏冠群 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 61 307 9.0 16.0
2 李拂晓 60 352 10.0 14.0
3 杨乃彬 18 95 6.0 8.0
4 王洋 南京理工大学电光学院 8 72 4.0 8.0
5 张有涛 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 19 40 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
成品率
flash ADC
GaAs
蒙特卡罗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
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8
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