VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

• 作者: 任慧志 侯国付 孙建 张德坤 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 薛俊明 赵颖 高艳涛 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 傅立叶变换红外吸收
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 56-59,64
• 页数: 5页
• 分类号: TK51
• 字数: 2081字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.013

摘要

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变.傅立叶变换红外吸收(FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多.而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为31%.