微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

• 作者: 程璇 郑宣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片清洗 金属污染 铜沉积 碳污染
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 970-976
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 5330字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.023

摘要

通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p-型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb-水平(10-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论.