脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响

• 作者: 李晓娜 林国强 董闯 赵彦辉 闻立时
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲偏压 电弧离子镀 Ti/TiN纳米多层薄膜 显微硬度
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 页码范围: 1106-1110
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 字数: 3367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.020

摘要

采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层薄膜,采用正交实验法设计脉冲偏压电参数,考察脉冲偏压对Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响.结果表明,在所有偏压参数(脉冲偏压幅值、占空比和频率)和几何参数(调制周期和周期比)中,脉冲偏压幅值是影响显微硬度的最主要因素;当沉积工艺中脉冲偏压幅值为900 V、占空比为50%及频率为30 kHz时,薄膜硬度可高达34.1 GPa,此时多层膜调制周期为84 nm,TiN和Ti单元层厚度分别为71和13 nm;由于薄膜中的单层厚度较厚,纳米尺寸的强化效应并未充分体现于薄膜硬度的贡献中,硬度的提高主要与脉冲偏压工艺,尤其是脉冲偏压幅值对薄膜组织的改善有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董闯	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	198	2023	23.0	34.0
2	闻立时	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	117	1859	24.0	36.0
4	李晓娜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	25	152	7.0	11.0
8	林国强	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	59	562	13.0	21.0
14	赵彦辉	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	53	4.0	4.0