下丘脑神经元NMDA受体通道特性研究

• 作者: 方兵 李铁林 段传志 赵庆平 邹飞 陈光忠
• 来源期刊: 中华神经医学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: NMDA 离子通道 神经元 细胞低氧 膜片钳术
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 244-246
• 页数: 3页
• 分类号: R318.021
• 字数: 3067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.1671-8925.2005.03.009

摘要

目的通过对正常和缺氧条件下N-甲基-D-天冬氨酸(NMDA)受体通道特性进行研究,探讨下丘脑神经元缺氧损伤的机理,为临床防治脑缺血/缺氧损伤提供实验依据.方法取材于新生SD大鼠下丘脑视前区/下丘脑前区(PO/AH)神经元,应用膜片钳单通道记录技术对缺氧和非缺氧两种状态下NMDA受体特性进行研究,观察其在缺氧和非缺氧条件下的翻转电位、电流幅度、电导特性的变化.结果神经元缺氧后其通道内向电流幅值由平均(4.501±0.980)pA(n=20,40 mV)上升为(6.000±1.750)pA(n=16,40mV),优势电导由非缺氧组的(45.693±1.850)pS(n=16)上升为(60.206±1.750)pS(n=10),而翻电位极为接近.结论缺氧是使NMDA受体通道过度激活和Ca2+大量内流的一外因条件.神经元缺氧时,同一钳制电压下其内向电流幅度明显高于对照组,优势电导也有明显上升,可以解释为缺氧引起了神经元Ca2+超载,从而介导了细胞的损伤和死亡.