RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜

• 作者: 丁琨 刘丰珍 刘金龙 周炳卿 张群芳 朱美芳 李国华 谷锦华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅薄膜 PECVD 高速沉积
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 98-101
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.026

摘要

利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国华	中国科学院半导体研究所	25	99	5.0	9.0
2	刘金龙	中国科学院研究生院物理系	31	895	11.0	29.0
3	周炳卿	中国科学院研究生院物理系	45	134	6.0	8.0
5	刘丰珍	中国科学院研究生院物理系	17	105	4.0	10.0
6	张群芳	中国科学院研究生院物理系	3	29	2.0	3.0
7	朱美芳	中国科学院研究生院物理系	11	98	4.0	9.0
10	谷锦华	中国科学院研究生院物理系	3	47	2.0	3.0