GaSb衬底上InAsxSb1-x合金的低压MOCVD生长和表征

• 作者: 张志勇 李晓婷 殷景致 汪韬 王一丁 王警卫 赛小锋 高鸿楷
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LP-MOCVD GaSb InAsSb 生长
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2298-2302
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.008

摘要

采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等生长参数对外延层质量的影响.获得了与GaSb衬底晶格失配度为0.4%的表面光亮且晶体质量较好的InAs0.85Sb0.15外延层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪韬	中国科学院西安光学精密机械研究所	18	116	5.0	10.0
2	李晓婷	中国科学院西安光学精密机械研究所	9	64	5.0	8.0
4	赛小锋	中国科学院西安光学精密机械研究所	15	135	7.0	11.0
5	高鸿楷	中国科学院西安光学精密机械研究所	17	110	5.0	10.0
6	王一丁	吉林大学电子工程系	54	369	11.0	18.0
9	王警卫	中国科学院西安光学精密机械研究所	3	26	2.0	3.0
10	殷景致	吉林大学电子工程系	1	0	0.0	0.0