难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

• 作者: 刘延祥 刘文超 夏冠群 李冰寒 黄文奎
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Mo/W/Ti/Au GaAs 欧姆接触 钝化
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.012

摘要

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理.用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了分析.结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10-6Ω·cm2.这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘延祥	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	7	14	2.0	3.0
2	夏冠群	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	61	307	9.0	16.0
3	刘文超	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	13	105	4.0	10.0
4	李冰寒	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	6	21	2.0	4.0
5	黄文奎	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	9	2.0	3.0