均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型

• 作者: 刘全旺 张波 李肇基 毛平 郭宇锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阶梯掺杂 线性掺杂 SOI RESURF 击穿模型
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 243-249
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 3235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.005

摘要

提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式.借此模型并对阶梯数从0到无穷时器件结构参数对临界电场和击穿电压的影响进行了深入研究.从理论上揭示了在厚膜SOI器件中用阶梯掺杂取代线性漂移区,不但可以保持较高的耐压,而且降低了设计和工艺难度.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果符合良好.