安森美半导体将推出后稳压、双N沟道HOSFET驱动器

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 安森美半导体 N沟道 稳压 推出 MOSFET驱动器 3月15日 2005年 国际研讨会 China 功率器件 电源质量 解决方案 电源转换 开关电源 博览会 供应商 转换器 高功率 ATX
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: i010
• 页数: 1页
• 分类号: TN86

摘要

2005年3月15日，上海电子功率器件、智能传送、电源质量国际研讨会与博览会(PCIM China 2005)，全球领先的电源转换解决方案供应商安森美半导体宣布，将推出NCP4330后稳压、双N沟道MOSFET驱动器，能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器的效率。