FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究

• 作者: 刘宜华 姜山 王文静 萧淑琴 陈卫平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多层膜 巨磁阻抗效应 趋肤效应 有效磁导率
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2929-2933
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4624字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.06.083

摘要

研究了结构为 (FM/SiO2)3/Ag/(SiO2/FM)3 多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应(这里的FM≡FeCuCrVSiB).多层膜采用射频溅射法沉积在单晶Si衬底上,沉积过程中,沿膜面长方向施加约72kA/m的磁场,然后在不同的温度下对样品进行了退火处理.结果表明,该多层膜样品即使在沉积态便具有相当好的软磁性能和GMI效应,在7MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别为45%和44%.在230℃下经90min退火处理后的样品具有最佳的GMI效应,在8.5MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别达到251%和277%.与磁性层总厚度相同的FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三层膜相比较,在这种多层结构中出现的GMI效应更强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宜华	山东大学物理与微电子学院	39	186	7.0	11.0
2	王文静	山东大学物理与微电子学院	12	18	2.0	3.0
3	姜山	山东大学物理与微电子学院	11	72	6.0	8.0
4	萧淑琴	山东大学物理与微电子学院	13	99	5.0	9.0