自组装半导体量子点的电子学性质研究进展

• 作者: 孙捷 王占国 金鹏
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自组装半导体量子点 量子尺寸效应 纳米电子器件
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 463-470
• 页数: 8页
• 分类号: TN304
• 字数: 7460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.05.003

摘要

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	孙捷	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	10	46	5.0	6.0
3	金鹏	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	29	262	7.0	16.0