1V电源的CMOS能隙电压基准源

• 作者: 盛敬刚 石秉学 陈志良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压 能隙基准源 CMOS模拟电路
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 826-829
• 页数: 4页
• 分类号: TN432.1
• 字数: 2764字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.038

摘要

采用SMIC 0.35μm CMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1～2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从室温到100℃的范围内,温度系数不超过3.6×10-5/K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志良	清华大学微电子学研究所	23	182	8.0	12.0
2	石秉学	清华大学微电子学研究所	42	298	10.0	16.0
3	盛敬刚	清华大学微电子学研究所	2	32	2.0	2.0