ZnO/p-Si异质结的光电转换特性

• 作者: 傅竹西 张子俞 林碧霞 段理 蔡俊江
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 异质结 光伏效应
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1963-1967
• 页数: 5页
• 分类号: O447
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.019

摘要

通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	段理	中国科学技术大学物理系	7	68	5.0	7.0
3	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
4	蔡俊江	中国科学技术大学物理系	2	17	2.0	2.0
5	张子俞	中国科学技术大学物理系	1	13	1.0	1.0