考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

• 作者: 代月花 孙家讹 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子效应 阈值电压 反型层 表面势
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 897-901
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.02.068

摘要

根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	孙家讹	安徽大学电子科学与技术学院	10	16	2.0	4.0
4	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0