SiGe HBT发射极延迟时间模型

• 作者: 崔晓英 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 王伟 王喜媛 王青 王顺祥 胡辉勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 势垒电容 发射极延迟时间
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1384-1389
• 页数: 6页
• 分类号: TN402
• 字数: 3141字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.019

摘要

在对SiGe HBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGe HBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGe HBT发射极延迟时间的影响.