sol-gel法制备GaN纳米棒的研究

• 作者: 刘亦安 吴玉新 孙莉莉 庄惠照 张晓凯 王福学 田德恒 艾玉杰 薛成山
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 GaN纳米棒 sol-gel法 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 13-15
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.11.005

摘要

采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒.XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构.用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm～1.8 μm,最长的纳米棒达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的355.6 nm处的紫外发光峰和445.9 nm处的蓝色发光峰.