射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性

• 作者: 余旭浒 王玉恒 王翠英 计峰 马洪磊 马瑾
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 ZnO∶Ga 光电特性
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 314-318
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.018

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ω·cm,方块电阻约为4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	计峰	山东大学物理与微电子学院	23	185	7.0	13.0
3	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
4	余旭浒	山东大学物理与微电子学院	11	144	6.0	11.0
5	王翠英	泰山医学院物理实验室	11	48	4.0	6.0
6	王玉恒	山东大学物理与微电子学院	10	142	6.0	10.0