原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展

• 作者: 任杰 卢红亮 张剑云 张卫 徐敏 王季陶 陈玮
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层淀积(ALD) 金属氧化物薄膜 高k材料
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 综 述
• 页码范围: 809-812,816
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|TN305.5
• 字数: 3373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.06.002

摘要

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.