底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法

• 作者: 徐家跃
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 底部籽晶体法 化学计量比 晶体生长 助熔剂
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: O782
• 字数: 4579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.001

摘要

为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做"底部籽晶法"的新生长方法.通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂.采用底部籽晶法,成功地生长了新型弛豫铁电晶体(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0≤x≥0.2)、近化学计量比LiNbO3晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0<x<0.5).研究表明,底部籽晶法是解决高质量非一致熔融晶体生长问题的一种有效途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐家跃	中国科学院上海硅酸盐研究所	47	396	12.0	17.0