基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

• 作者: 吴亚明 唐衍哲 戈肖鸿 杨建义 王文辉 王跃林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀光栅 波导镜 电感耦合等离子体刻蚀 绝缘材料上的硅 分波器
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 138-142
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 字数: 3227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.028

摘要

研究了基于绝缘材料上的硅(SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺.利用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)技术,在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面.氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度(RMS)有3nm的改善,达到7.27nm(采样面积6.2μm×26μm).通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2.5mm.测试结果表明器件实现了分波功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王文辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	6	11	2.0	3.0
2	杨建义	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	97	650	13.0	21.0
4	吴亚明	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	35	193	9.0	11.0
7	戈肖鸿	中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室	6	24	3.0	4.0
8	唐衍哲	浙江大学信息与电子工程学系	4	25	2.0	4.0
9	王跃林		1	2	1.0	1.0