GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟

• 作者: 何为 罗毅 郝智彪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 动力学蒙特卡罗模拟 量子点 外延生长
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 707-710
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.014

摘要

采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化,对量子点的定位生长有积极的影响.