低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

• 作者: 庄严 苏达根 钟明峰 陈志雄
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多层压敏电阻器 低温烧结 银扩散 晶粒电阻 电性能
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1373-1378
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.017

摘要

研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏达根	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	110	1090	17.0	24.0
2	庄严		22	166	7.0	11.0
3	陈志雄	广州大学物理与电子工程学院	19	134	6.0	11.0
4	钟明峰	华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室	38	228	10.0	13.0