Al2O3-SiC复相微波衰减材料的性能研究

• 作者: 丘泰 方勇 李晓云
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 氧化铝 碳化硅 微波衰减
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 50-52
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.07.015

摘要

采用热压烧结工艺制备了Al2O3-SiC复相微波衰减材料.通过网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响.结果表明,当w(SiC)＜3%,复相材料具有选频衰减的频谱曲线,谐振峰位置基本不变;当w(SiC)为3%～16%,材料的谐振损耗烽向低频方向移动;当w(SiC)＞16%时,材料呈现出宽频衰减特性.对复相材料的微波衰减机理作了初步探讨,弛豫损耗和电导损耗是其主要的衰减机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘泰	南京工业大学材料科学与工程学院	283	2308	22.0	31.0
2	李晓云	南京工业大学材料科学与工程学院	69	515	12.0	19.0
3	方勇	南京工业大学材料科学与工程学院	4	16	3.0	4.0