基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合

• 作者: 任晓敏 孙增辉 王兴妍 王琦 钟源 陈弘达 陈斌 陈良惠 马骁宇 高俊华 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶片键合 GaAs InP 低温 硫化物
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1667-1670
• 页数: 4页
• 分类号: O485
• 字数: 1857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.037

摘要

提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.