埋空隙PSOI结构的耐压分析

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RESURF结构 APSOI 自热效应 表面电场 击穿电压
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1818-1822
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.027

摘要

提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击穿电压条件下,此结构较一般PSOI结构只需1/4厚度的埋层,当漂移区厚度和埋层厚度均为2μm时可获得600V以上的击穿电压.