30GHz PHEMT振荡器

• 作者: 吴阿慧
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: VCO PHEMT MATRK模型 谐波平衡分析
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 252-255
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 1716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.064

摘要

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴阿慧	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	1	1.0	1.0