运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应

• 作者: 任迪远 余学峰 艾尔肯 郭旗 陆妩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 运算放大器 60Coγ辐照 退火 剂量率效应
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1464-1468
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 5008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.034

摘要

对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
2	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
3	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
4	艾尔肯	中国科学院新疆理化技术研究所	17	152	7.0	12.0
5	余学峰	中国科学院新疆理化技术研究所	19	125	7.0	10.0