PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性

• 作者: 余寒峰 初瑞清 唐新桂 曾华荣 李国荣 殷庆瑞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PZT铁电薄膜 场致位移 纳米尺度 扫描力显微术
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1437-1441
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2388字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.077

摘要

利用扫描力显微术的压电响应模式,并基于逆压电效应原理,研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性.获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线,以及源于线性压电效应和电畴反转效应综合贡献的纳米尺度压电位移-场强蝶形曲线,证实了Caspari-Merz理论在纳米尺度上的有效性.发现了梯度铁电薄膜存在纳米尺度印刻现象,认为该现象的内因源于薄膜中的内偏场.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国荣	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	49	676	14.0	24.0
2	曾华荣	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	17	128	6.0	11.0
3	殷庆瑞	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	49	684	15.0	24.0
4	初瑞清	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	7	72	4.0	7.0
5	余寒峰	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	4	25	3.0	4.0