GaN HFET沟道热电子隧穿电流崩塌模型

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电流崩塌 瞬态电流 热电子隧穿 GaN HFET
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2143-2148
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4705字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.019

摘要

研究了GaN HFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能.从沟道热电子隧穿过程出发,提出了新的电流崩塌微观模型.用该微观模型解释了光离化谱、DLTS、瞬态电流及电流崩塌等各类实验现象.研究了各种异质结构的不同电流崩塌特性,在此基础上讨论了无电流崩塌器件的优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时		30	154	7.0	11.0