5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐的合成、晶体结构及性质研究

• 作者: 刘芸 司书峰 吴福丽 延玺 李加冕 郑泽宝 闫会卿
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐 晶体结构 抗氧化 循环伏安法
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 页码范围: 1598-1602
• 页数: 5页
• 分类号: O611.6
• 字数: 4237字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2005.09.004

摘要

合成了水溶性很好的5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐(TTDB), 采用IR、 UV、 1H NMR和元素分析对其结构进行了表征, 并利用X射线单晶衍射仪测定了该化合物的晶体结构. 使用荧光光谱法检测了化合物对羟基自由基的清除作用. 用循环伏安法探讨了化合物的电化学性质. 实验结果表明, 5,3',5'-三磺酸基-2,3,4,4'-四羟基脱氧安息香三钠盐[C14H17Na3O18S3]属于单斜晶系, 空间群C2/c, a=1.422 3(4) nm, b=2.432 7(8) nm, c=1.359 6(4) nm, α=90°, β=113.044(5)°, γ=90°, Z=8, V=4.329(2) nm3, Dc=1.925 Mg/m3, F(000)=2 568, Mr=627.43, R1=0.095 0, wR2=0.264 8. TTDB的抗羟基自由基的氧化作用优于其相应的脱氧安息香THDB, 前者清除羟基自由基的半数有效浓度(EC50)为47.3 μmol/L, 而后者的EC50则为53.1 μmol/L. 电化学研究结果表明, THDB和TTDB的氧化还原过程有所差异, 前者负扫时在-1.016和-1.228 V处出现两个还原峰, 正扫时在0.219 V处出现一个氧化峰, 但后者负扫时仅在-0.999 V出现一个还原峰, 正扫时在0.193 V出现一个氧化峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴福丽	北京师范大学化学系	9	114	6.0	9.0
2	延玺	北京师范大学化学系	26	659	8.0	25.0
3	刘芸	北京师范大学化学系	5	25	3.0	5.0
4	司书峰	北京师范大学化学系	5	21	3.0	4.0
5	李加冕	北京师范大学化学系	3	18	3.0	3.0
6	闫会卿	北京师范大学化学系	3	18	3.0	3.0
7	郑泽宝	北京师范大学化学系	5	31	4.0	5.0