八羟基喹啉锌非晶薄膜器件的制备和开关特性

• 作者: 宋长安 彭应全 时军朋 温振超 陈殷
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 八羟基喹啉锌 开关特性 X射线衍射 I-Ⅴ特性曲线
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1979-1982
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.50
• 字数: 1648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.022

摘要

介绍了八羟基喹啉锌(Znq2)有机薄膜及器件的制备方法.X射线衍射谱指出,用真空蒸发方法制备的Znq2薄膜呈非晶态结构;通过对Znq2有机薄膜I-Ⅴ曲线的分析,揭示了Znq2薄膜的开关特性.基于分子在电场作用下的空间取向的变化,对这一现象提出了一种可能的理论解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋长安	兰州大学物理科学与技术学院	27	86	4.0	8.0
2	彭应全	兰州大学物理科学与技术学院	30	95	6.0	8.0
3	时军朋	兰州大学物理科学与技术学院	1	3	1.0	1.0
4	温振超	兰州大学物理科学与技术学院	1	3	1.0	1.0
5	陈殷	兰州大学信息科学与工程学院	3	4	1.0	2.0