BaTiO3/Si界面扩散与控制方法研究

• 作者: 张鹰 朱俊 李言荣 李金隆 罗文博 艾万勇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 界面扩散 钛酸钡 硅 俄歇电子能谱 X光电子能谱
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1919-1922
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O484.5
• 字数: 3182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.12.032

摘要

利用激光分子束外延(LMBE)方法在Si(100)基片上直接生长BaTiO3(BTO)铁电薄膜.通过俄歇电子能谱(AES),X光电子能谱(XPS)等分析手段系统研究了在Si基片上直接生长BTO铁电薄膜过程中的界面扩散现象.根据研究得到的BTO/Si界面扩散规律,采用一种新型的"温度梯度调制生长方法"减小、抑制BTO/Si界面互扩散行为,实现了BTO铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长,为在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的BTO铁电薄膜奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
2	李金隆	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	66	5.0	7.0
3	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
4	朱俊	电子科技大学微电子与固体电子学院	34	102	5.0	6.0
5	罗文博	电子科技大学微电子与固体电子学院	25	79	5.0	6.0
6	艾万勇	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	8	2.0	2.0