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超晶格半导体材料的光磁电效应(Ⅰ)
超晶格半导体材料的光磁电效应(Ⅰ)
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
超晶格
半导体
光磁电效应
非线性
摘要:
从Shockley-read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,描述了超晶格半导体载流子的输运特征,将载流子的输运方程化为二阶非线性方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解.在二阶近似下,计算了半导体材料的短路电流和光导电流,进一步揭示了大信号情况下光磁电效应的非线性特征.
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文献信息
篇名
超晶格半导体材料的光磁电效应(Ⅰ)
来源期刊
半导体学报
学科
物理学
关键词
超晶格
半导体
光磁电效应
非线性
年,卷(期)
2005,(9)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1744-1748
页数
5页
分类号
O472
字数
3594字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.012
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超晶格
半导体
光磁电效应
非线性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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